【示警】东芝暂停向中兴出货;台积电示警

新闻来源    2018年05月02日 15:05

1.快讯:东芝暂停向中兴出货,并购交易获大陆审批遥遥无期

集微网消息,DIGITIMES报道指出,随着中美贸易战加剧,东芝存储(TMC)出售案进度延宕,多日来在大陆反垄断审查面临卡关,而相关供应链业者私下评估,此案在大陆官方将难放行,近日更传出TMC将暂停内存对中兴出货。

2.台积电两岸布局不受中美贸易战影响,南京厂近期提前量产

中美贸易大战甚嚣尘上,但台积电仍照公司既有布局蓝图,同步加快两岸布局。台积电预计,未来五年每年资本支出都会超过百亿美元,且先进制程集中在台湾,除加速7纳米量产,5纳米试产脚步也会加快。




中美贸易战火升高,美国已禁止相关零组件供货中兴通讯,后续是否进一步对华为采取限制措施,全球正密切关注。

台积电表示,目前美国提出的观察名单,并没有半导体领域,甚至相关电子产品都不在名单上,因此影响很小,若真的效应范围扩大,由于台积电是全球芯片厂重要代工厂,市占率也是全球最高,预期对台积电影响将会很小,但台积电会密切关注后续发展。

台积电两岸布局未受中美贸易大战而改变,南京厂提前在近期量产出货,正式启动在大陆第一座16纳米制程12英寸晶圆生产。

台积电强调,该公司先进制程重心仍在台湾。台积电稍早在法说会宣布上修今年资本支出至115亿到120亿美元,比原预期增加10亿美元,以因应7纳米强化版制程关键光刻设备极紫外光(EUV)预付设备款,并扩大光罩产能。经济日报

3.台积电示警:加密货币不确定性升高

加密货币“挖矿”市场遭逢逆风。台积电释放震撼弹,警告加密货币需求不确定性升高,这也显示今年来,在各国政府、网络巨头联手加强管制下,加密货币正遭遇强大的挑战,外资预估,一旦比特币价格跌破8,000美元关卡,将严重冲击挖矿市场。

台积电日前举行法说会,下修第2季及全年财测数字,原因除了智能手机需求不如预期外,另一大重点,就是加密货币挖矿需求不确定性增加。由于台积电代工的比特币专用ASIC(特殊应用积体电路)芯片,客户群涵盖全球“矿机”主流业者,台积电的示警,格外引起市场关注。不过,台积电指出,虽然对加密货币后市看法保守谨慎,但第2季相关业务业绩仍优于第1季,下半年也会优于上半年,显示目前中国矿机业者对未来看法仍乐观,预期加密货币价格仍有支撑,故下单力道也不手软。

据美系外资研究显示,假设矿工电力成本在0.03千瓦时/kWh,大型矿场损益两平点落在8,600美元,如果比特币价格不在8,600美元之上,长久下来,大型矿主会觉得无利可图,进而引发抛售潮,不但拖累市场硬体需求,也会进一步拉低比特币价格。

此外,由于挖矿产能不断增加,势必加深下半年挖矿难度,即使比特币下半年价格持平,但挖矿的获利也会减少。这是由于比特币当初定下“限量”的规则 ,总供应总量仅2,100万枚,随着面世的货币变多,到今年为止已经挖出总量八成,系统的设计会让矿主挖矿难度变高、报酬相对降低。

外在环境上,对加密货币市场也不太友善。担忧加密货币沦为罪犯洗钱工具,从去年中国政府下重手以来,日本、南韩、美国、英国、澳洲管制趋严,不只政府出手,网络巨头也跟进,包含脸书、Google、推特分别禁止加密货币广告,避免消费者遭有心人士诈骗。

其实,加密货币在去年比特币价格呈现爆炸性上涨后,市场陆续产生数百种新货币,尽管市面上ASIC芯片主要应用在生产比特币、莱特币,像以太币、瑞波币等还是使用显卡挖矿,但由于比特币名气最响、交易量最大,具有加密货币领头羊性质,一旦比特币价格波动,也会直接影响其他加密货币涨跌。联合晚报

4.NAND闪存价格持续下跌,DRAM价持稳到年底

内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析,储存型闪存(NAND Flash)和DRAM市况不同调 。

三星和美光同指本季NAND价格持续下探,但DRAM价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下,价格将持稳到年底。

全球内存龙头三星半导体事业部日前在提出第2季展望时指出,内存事业可望在第2季维持强势表现,不过,本季NAND报价将呈现疲软,但服务器、移动DRAM需求将会续强,且主流高容量DRAM订单也将会走高。

三星在全球NAND Flash和DRAM市占率都居领先地位,其中DRAM市占率达49%,具有价格主导地位,三星看淡NAND Flash价格走势,也反应NAND Flash随各家3D NAND转换制程良率提升、产量提升,价格也陷入向下修正的压力;DRAM则因供需仍未失衡,且应用多元化,本季价格可望持续维持上涨。

内存大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦(Wayne Allan)则认为,受惠企业级线上交易、自驾车、云端大数据、网通、移动设备、物联网等六大领域对内存需求强劲,但供给端增幅有限,今年内存市况仍会健康稳健,其中DRAM价格可持稳到年底。

美光预估今年全球内存,DRAM年产量约增20%,NAND Flash产能约增45%。

艾伦强调,美光今年在NAND Flash产能年增率将超过45%,高于产业平均数,凸显美光也是持续拉升NAND Flash产出。

闪存控制芯片大厂慧荣总经理苟嘉章则分析,今年上半年闪存供过于求压力大,本季跌势将扩大,不过随主要品牌手机厂下半年推出新机,增加闪存搭载量,第3季价格可望止跌。

但他强调, 国际大厂如三星、SK海力士、东芝及威腾(WD)、英特尔及美光等全力扩充产能,今年底96层或QLC规格3D NAND产能将大量开出,上半年价格压力较大,明年加上中国大陆紫光集团旗下长的长江存储产能开出,供给量更大,恐再加重明年NAND Flash跌势。经济日报

5.我国正在研制下一代存储芯片 速度提升1000倍

据报道,武汉光电国家研究中心研发团队正在全力研发“下一代存储芯片”。研发负责人称,正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术,预计明年能在实验室研发成功。到时候,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍,一旦产业化成功,将颠覆产业格局。预计到2020年国内存储芯片的市场规模到5000亿元,进口替代空间巨大。可关注南大光电、紫光国芯等。中证资讯


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